RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,378.6
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
62
Por volta de -130% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,670.6
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,378.6
11.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
861
2545
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link