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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,378.6
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
62
Por volta de -3% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
60
Velocidade de leitura, GB/s
4,670.6
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,378.6
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
861
2511
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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