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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
62
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
2264
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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