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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
3437
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
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