RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3437
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link