RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
65
Por volta de 58% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
65
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
1921
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link