RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
65
En 58% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
65
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
1921
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link