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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
2468
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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