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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
3692
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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