RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3692
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link