RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
2709
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link