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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
2584
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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