RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2584
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link