RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
104
Около -167% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2188
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link