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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
104
En -167% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2188
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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