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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Pontuação geral
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
17.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2165
4065
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
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