RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.3
Скорость записи, Гб/сек
8.2
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
4065
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link