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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Pontuação geral
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Razões a considerar
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
39
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2165
3211
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
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