RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
3211
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link