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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Razões a considerar
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
39
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2165
2768
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
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