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Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
2910
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB Comparações de RAM
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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