RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
3106
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link