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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
66
Por volta de 62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
66
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
1912
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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