RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
104
Por volta de -352% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
13.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2545
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link