RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
104
Wokół strony -352% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2545
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link