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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
1989
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
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