RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
1989
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link