RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
92
Около -241% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3327
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link