RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 14.2
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 104
    Около -316% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.4 left arrow 2,404.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    104 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,192.0 left arrow 14.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,404.5 left arrow 7.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    786 left arrow 2104

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
модули RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
модули RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
модули RAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
модули RAM