RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
比較する
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
14.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
104
周辺 -316% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.4
2,404.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
25
読み出し速度、GB/s
3,192.0
14.2
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
7.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
786
2104
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB RAMの比較
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link