Comparação RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Pontuação geral

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

25 104

Por volta de -316% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.4 2,404.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 6400

Por volta de 3 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

786 2104

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns