RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
92
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3327
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link