RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3363
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link