RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
77
En -148% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3363
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link