RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
77
Autour de -148% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3363
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link