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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
71
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
13.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
71
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
1799
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
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