RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
9.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
41
Por volta de -58% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
9.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
2456
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link