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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
41
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
14.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
3638
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
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