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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
41
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
2321
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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