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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Pontuação geral
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Razões a considerar
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
65
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
4.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
52
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
4.2
7.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
985
2306
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparações de RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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