RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
71
81
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
81
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
7.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
1523
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair VS2GB1333D4 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link