RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
25
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
18
25
Velocidade de leitura, GB/s
20.5
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
16.4
9.3
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3530
2340
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link