RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Comparar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
52
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,479.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,226.4
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,479.2
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
590
3038
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link