RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Comparar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Pontuação geral
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
52
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,479.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,226.4
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,479.2
11.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
590
2199
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link