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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
50
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,935.8
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
50
Velocidade de leitura, GB/s
6,336.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,935.8
10.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1144
2512
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
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