RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
76
Por volta de 66% menor latência
Razões a considerar
AMD R744G2606U1S 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
76
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
1809
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link