RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
76
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
76
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1809
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link