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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
76
Por volta de 66% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
76
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
1859
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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