G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Средняя оценка

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 76

Около 66% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.4 7.9

Среднее значение в тестах

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.1 13.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 76
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 15.1
Скорость записи, Гб/сек

8.4 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 1859

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

модули RAM

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

модули RAM