RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
26
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
21
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2276
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB Comparações de RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link